南京一企业全球首发晶圆级薄膜铌酸锂周期极化PDK

新华日报财经讯日前，南智光电发布薄膜铌酸锂（TFLN）周期极化晶圆PDK（Process Design Kit，工艺设计包），这不仅是光子芯片领域的一次重大工程突破，更是非线性光学芯片工艺创新的里程碑成果，为光子器件设计者提供了面向实际制造的高效设计工艺衔接工具。

铌酸锂周期极化技术是非线性光学领域的核心工艺之一，通过精确调控晶体的自发极化方向形成规则周期结构，实现准相位匹配，从而显著提升倍频、差频等非线性光学过程的效率。经过多年的工程化开发与工艺优化，周期极化技术已由科研验证走向产业化，广泛应用于激光、光通信、精密测量等领域。如今，与薄膜铌酸锂工艺结合后，器件在集成化、小型化和性能稳定性方面迎来新的提升，为高性能集成光子芯片提供了更加丰富的功能模块。

此次南智光电推出的薄膜铌酸锂周期极化晶圆工艺设计包，依托公司在电场周期极化、微纳刻蚀等关键工艺的能力，可支持用户在光计算、量子信息、光子信号处理、精密光谱学等领域开展创新设计与产品研发。设计包含周期极化晶圆的标准工艺库、设计规则与版图模板，支持从结构设计到流片下单的全流程。

周期极化TFLN器件在频率转换、光波混频、参量放大等非线性应用中具有高效能和低功耗优势，为下一代光子集成电路的系统功能拓展提供了坚实支撑。科研用户可高效开展新原理验证，产业客户可在设计阶段就完成与南智光电工艺的精确匹配，从而缩短研发周期、降低试错成本，并提升首次流片的成功率。