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近日，浦口经济开发区企业芯德半导体传来捷报，其自主研发的FOCT-L埋入式桥接扇出式高性能芯片互联封装工艺，成功完成全流程技术验证。这一成果标志着芯德半导体在2.5D/3D先进封装领域取得里程碑式突破，更意味着企业具备国际领先的本地化硅中介层互联集成能力，正式跻身全球先进封装技术第一梯队，为下一代高性能计算芯片提供核心封装支撑。
此次芯德半导体研发团队聚焦行业痛点，直面本地硅桥互联、高精度键合、超薄芯片堆叠、信号完整性控制等挑战，实现多芯片模块内局部区域的高密度互连，通过微米级硅桥（Si-Bridge）在芯片边缘关键区域构建微米级互连通道，互连密度较传统封装提升5倍以上，信号传输距离缩短至毫米级。
以本地硅桥（LSI）阵列替代单片硅中介层，实现“化整为零”的模块化设计：单中介层集成2*LSI芯片，支持2500mm²超大封装面积，塑封通孔（TMV）插入损耗＜0.3dB/mm，解决光刻拼接误差难题，为国产超大算力芯片扫除封装障碍。
作为2.5D/3D先进封装领域的核心技术，FOCT-L技术凭借高密度、高带宽、低功耗等优势，正成为支撑AI训练芯片、高端GPU、HPC处理器及大容量存储芯片的“基石”。此次2.5D FOCT-L样品成功通线，既是企业技术研发实力的硬核印证，也是高端半导体封装领域迈向自主可控新阶段的关键一步，更是浦口经济开发区推动“四大行动”、培育集成电路产业生态的生动实践。
下一步，浦口经济开发区将持续以“四大行动”为引擎，以产业需求为导向，为企业研发与成果转化提供全链条服务，构建创新生态圈，推动科技创新从“单点突破”向“系统提升”跃升。
通讯员：郑仁江、杨长松
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