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从颗粒到系统，从技术到生态，新紫光集团正以全栈自主创新能力，打破中国存储产业的“天花板”。近日，全球半导体产业链加速重构，中国存储产业迎来新一轮发展机遇。新紫光集团通过技术突破与产业整合，在存储领域展现出全栈创新能力，其旗下紫光国芯、紫光闪芯等企业在颗粒产品、存储KGD、模组和系统产品等方面取得系列突破。
01 全栈布局：筑牢存储产业根基
新紫光集团的存储实力扎根于其全面的产业布局。通过紫光国芯、紫光闪芯等核心企业，集团已构建了从存储颗粒、KGD产品到模组、系统的完整产品体系。紫光闪芯近期发布的紫光闪存E5200 PCIe 5.0企业级SSD系列，实现了从主控芯片到存储颗粒的”100%国产化覆盖”，搭载国产主控与长江存储3D TLC颗粒。这款产品顺序读写速率达14.5/11.5GB/s，较PCIe 4.0产品提升100%，随机读写IOPS高达3300K/900K，可轻松应对大模型训练中数万次/秒的参数更新需求。作为新紫光集团存储战略的核心产品，E5200从设计、生产到测试均通过国产化体系验证，为政务、金融、医疗、电信等关键领域提供自主安全可靠的企业级存储解决方案。
02 技术突破：SeDRAM引领性能革新
在存储技术的前沿领域，新紫光集团同样取得显著突破。紫光国芯自主研发的三维堆叠DRAM（SeDRAM）技术，目前已经发展至第四代，成为业界亮点。这项技术通过三维堆叠实现逻辑晶圆与DRAM晶圆3D集成，可为算力芯片提供每秒高达数十TB的访存带宽，并支持高达数十GB的内存容量。紫光国芯SeDRAM技术历经超过十年的技术积累与多代产品迭代，始终保持在行业的领先地位。该技术采用业界领先的四层晶圆堆叠三维架构，前瞻性兼容8层堆叠。
03 AI驱动：存储解决方案赋能算力释放
面对AI时代的数据存储挑战，新紫光集团针对性推出了多项高性能存储解决方案。紫光国芯适配大模型应用的四层3D堆叠DRAM芯片（SeDRAM-P300）凭借突出的技术创新能力，荣获“中国芯”年度重大创新突破产品奖。该产品是业内首款采用“四层DRAM堆叠”三维集成技术并实现量产的产品方案，通过创新的技术路径，助力芯片性能实现极致释放。
在智算中心存储领域，新紫光旗下新华三发布的新一代高性能分布式融合存储Polaris X20000以单节点158.92 GB/s、集群总带宽突破476.752 GB/s的优异成绩，登顶高性能RoCE AI存储解决方案榜首。紫光国芯的CXL内存扩展主控技术方案也已进入产品化阶段，全系产品旨在满足服务器系统主存容量扩展、带宽扩展等核心需求。
04 生态协同：集团优势赋能技术创新
新紫光集团的存储创新能力，得益于其全产业链生态的协同效应。集团焕新启航三年来，构建了覆盖半导体及数字经济全产业链的战略布局。
“新紫光体系”形成覆盖芯片设计、封测、设备、材料和模组的半导体全产业链，以及ICT设备、云服务与数字化解决方案的数字经济全产业生态。这种协同效应在财务业绩中得到体现。2025年前三季度，新紫光旗下上市公司紫光股份实现营业收入773.22亿元，同比增长31.41%。集团旗下的另一家上市公司紫光国微三季度实现营业收入49.04亿元，同比增长15.05%；归母净利润5.71亿元，同比暴涨109.55%。
随着AI时代对数据存储要求的不断提高，新紫光集团在存储领域的全栈布局优势将进一步显现。从颗粒到系统，从技术到生态，新紫光正在下一盘大棋。存储作为数字经济的基石，关乎国家信息安全和数字中国建设的未来。新紫光集团凭借其全栈自主创新能力，不仅在国内市场站稳脚跟，更在全球存储竞争中崭露头角，成为中国存储产业发展的关键力量。
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